MOSFET de potencia Vishay Siliconix, N-Canal SiZ348DT-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 30 A, PowerPAIR 3 x 3, Mejora de 8 pines, 2,
- Código RS:
- 178-3702
- Nº ref. fabric.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
No disponible actualmente
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- Código RS:
- 178-3702
- Nº ref. fabric.:
- SiZ348DT-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay Siliconix
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay Siliconix | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | PowerPAIR 3 x 3 | |
| Serie | TrenchFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 10mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 12.1nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | -16V, +20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 16.7W | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | +150°C | |
| Altura | 750μm | |
| Longitud | 3mm | |
| Anchura | 3mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay Siliconix | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado PowerPAIR 3 x 3 | ||
Serie TrenchFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 10mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 12.1nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta -16V, +20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 16.7W | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Temperatura de funcionamiento máxima +150°C | ||
Altura 750μm | ||
Longitud 3mm | ||
Anchura 3mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción No | ||
Estado RoHS: No aplica
TrenchFET® Gen IV power MOSFET
High side and low side MOSFETs form optimized combination for 50 % duty cycle
Optimized RDS - Qg and RDS - Qgd FOM elevates efficiency for high frequency switching
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