MOSFET Vishay SI1401EDH-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4 A, SOT-363 de 6 pines

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 12V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 34mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2,8W mW y una corriente de drenaje continua de 4A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 1,5V V y 4,5V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

• Libre de halógenos
• Sin plomo (Pb)
• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.
• MOSFET de potencia TrenchFET
• Rendimiento típico de ESD 1500V kV

• Teléfono móvil
• DSC
• GPS
• Interruptor de carga
• MP3
• Interruptor PA y interruptor de batería para dispositivos portátiles
• Consola de juegos portátil

• ANSI/ESD S20,20:2014
• BS EN 61340-5-1:2007
• IEC 61249-2-21
• Rg probado