MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1401EDH-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4 A, Mejora, US de 6 pines

Código RS:: 180-7898
Nº ref. fabric.:: SI1401EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo P-Canal Vishay SI1401EDH-T1-GE3, VDSS 12 V, ID 4 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:: 180-7898
Nº ref. fabric.:: SI1401EDH-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Marca	Vishay
	Tipo de canal	Tipo P
	Tipo de producto	MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld	4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	12V
	Encapsulado	US
	Serie	TrenchFET
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	34mΩ
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	14.1nC
	Tensión directa Vf	1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd	1.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta	10 V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Longitud	2.2mm
	Certificaciones y estándares	No
	Altura	1.1mm
	Anchura	2.4 mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Marca Vishay
	Tipo de canal Tipo P
	Tipo de producto MOSFET
	Corriente continua máxima de drenaje ld 4A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 12V
	Encapsulado US
	Serie TrenchFET
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 34mΩ
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.1nC
	Tensión directa Vf 1.2V
	Disipación de potencia máxima Pd 1.8W
	Tensión máxima de la fuente de la puerta 10 V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Longitud 2.2mm
	Certificaciones y estándares No
	Altura 1.1mm
	Anchura 2.4 mm
	Estándar de automoción No

Datasheet

COO (País de Origen):: CN

MOSFET Vishay

El MOSFET de canal P de montaje superficial Vishay es un producto de nueva era con una tensión de fuente de drenaje de 12V V y una tensión de fuente de puerta máxima de 10V V. Tiene una resistencia de fuente de drenaje de 34mohm a una tensión de fuente de puerta de 4,5V V. Ofrece una disipación de potencia máxima de 2,8W mW y una corriente de drenaje continua de 4A A. La tensión de accionamiento mínima y máxima para este transistor es de 1,5V V y 4,5V V respectivamente. El MOSFET se ha optimizado para menores pérdidas de conducción y conmutación. El MOSFET ofrece una excelente eficiencia junto con una larga vida útil sin comprometer el rendimiento ni la funcionalidad.

Características y ventajas

• Libre de halógenos

• Sin plomo (Pb)

• La temperatura de funcionamiento oscila entre 55 °C y 150 °C.

• MOSFET de potencia TrenchFET

• Rendimiento típico de ESD 1500V kV

Aplicaciones

• Teléfono móvil

• DSC

• GPS

• Interruptor de carga

• MP3

• Interruptor PA y interruptor de batería para dispositivos portátiles

• Consola de juegos portátil

Certificaciones

• ANSI/ESD S20,20:2014

• BS EN 61340-5-1:2007

• IEC 61249-2-21

• Rg probado