MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines

Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 50 unidades)*

17,10 €

(exc. IVA)

20,70 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 1550 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
50 - 2000,342 €17,10 €
250 - 4500,253 €12,65 €
500 - 12000,212 €10,60 €
1250 - 24500,188 €9,40 €
2500 +0,171 €8,55 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
814-1222
Nº ref. fabric.:
SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Serie

SiA462DJ

Encapsulado

US

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.018Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

±20 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

17nC

Tensión directa Vf

1.2V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Longitud

2.15mm

Certificaciones y estándares

Lead (Pb)-Free

Anchura

2.15 mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


Enlaces relacionados