Nº ref. fabric.

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines

Código RS:: 814-1222
Nº ref. fabric.:: SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:: 814-1222
Nº ref. fabric.:: SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Especificaciones

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.

Seleccionar todo	Atributo	Valor
	Tipo de producto	MOSFET
	Tipo de canal	Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld	12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds	30V
	Serie	SiA462DJ
	Encapsulado	US
	Tipo de montaje	Superficie
	Número de pines	6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds	0.018Ω
	Modo de canal	Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs	17nC
	Disipación de potencia máxima Pd	19W
	Tensión directa Vf	1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima	150°C
	Certificaciones y estándares	Lead (Pb)-Free
	Altura	0.8mm
	Longitud	2.15mm
	Estándar de automoción	No

	Seleccionar todo
	Tipo de producto MOSFET
	Tipo de canal Tipo N
	Corriente continua máxima de drenaje ld 12A
	Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V
	Serie SiA462DJ
	Encapsulado US
	Tipo de montaje Superficie
	Número de pines 6
	Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.018Ω
	Modo de canal Mejora
	Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C
	Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC
	Disipación de potencia máxima Pd 19W
	Tensión directa Vf 1.2V
	Temperatura de funcionamiento máxima 150°C
	Certificaciones y estándares Lead (Pb)-Free
	Altura 0.8mm
	Longitud 2.15mm
	Estándar de automoción No

COO (País de Origen):: CN

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

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