MOSFET Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 165-7224
Nº ref. fabric.:: SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Temporalmente fuera de stock. Disponible a partir del 22/07/2025, con entrega en 4 día(s) laborable(s).

Añadido

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 3000)

0,205 €

(exc. IVA)

0,248 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
3000 +	0,205 €	615,00 €
*precio indicativo

Código RS:: 165-7224
Nº ref. fabric.:: SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	12 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	22 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	19 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-20 V, +20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Carga Típica de Puerta @ Vgs	11 nC a 10 V
Número de Elementos por Chip	1
Ancho	2.15mm
Longitud	2.15mm
Material del transistor	Si
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm

Código RS:: 165-7224
Nº ref. fabric.:: SIA462DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA462DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 12 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal N, de 30 V a 50 V, Vishay Semiconductor

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