MOSFET de potencia, Tipo P-Canal Vishay, VDSS 30 V, ID 12 A, Mejora, US de 6 pines

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Código RS:
165-7182
Nº ref. fabric.:
SIA449DJ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo P

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

US

Serie

TrenchFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

6

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.038Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

23.1nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

19W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Tensión directa Vf

-0.8V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

0.8mm

Certificaciones y estándares

RoHS

Anchura

2.15 mm

Longitud

2.15mm

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor


Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor


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