MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SI1480BDH-T1-GE3, VDSS 100 V, ID 1.9 A, Mejora, US de 6 pines
- Código RS:
- 279-9891
- Nº ref. fabric.:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 0,427 € | 10,68 € |
| 50 - 75 | 0,418 € | 10,45 € |
| 100 - 225 | 0,38 € | 9,50 € |
| 250 - 975 | 0,372 € | 9,30 € |
| 1000 + | 0,365 € | 9,13 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 279-9891
- Nº ref. fabric.:
- SI1480BDH-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 1.9A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | US | |
| Serie | SI | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 6 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.212Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 1.7W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 1.9A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado US | ||
Serie SI | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 6 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.212Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 1.7W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de Vishay es un MOSFET de canal N y el transistor que contiene está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % Rg y UIS
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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