MOSFET Vishay SIA449DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10,4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Código RS:: 814-1213
Nº ref. fabric.:: SIA449DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA449DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10,4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

3000 Disponible para entrega en 24/48 horas

Añadido

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)

0,38 €

(exc. IVA)

0,46 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
20 - 180	0,38 €	7,60 €
200 - 480	0,281 €	5,62 €
500 - 980	0,235 €	4,70 €
1000 - 1980	0,209 €	4,18 €
2000 +	0,152 €	3,04 €
*precio indicativo

Código RS:: 814-1213
Nº ref. fabric.:: SIA449DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

COO (País de Origen):: CN

Datos del Producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Transistores MOSFET, Vishay Semiconductor

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	P
Corriente Máxima Continua de Drenaje	10,4 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	30 V
Tipo de Encapsulado	SOT-363
Serie	TrenchFET
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	6
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	38 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta mínima	0.6V
Disipación de Potencia Máxima	19 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	-12 V, +12 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Material del transistor	Si
Longitud	2.15mm
Ancho	2.15mm
Número de Elementos por Chip	1
Carga Típica de Puerta @ Vgs	48 nC a 10 V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	0.8mm

Código RS:: 814-1213
Nº ref. fabric.:: SIA449DJ-T1-GE3
Fabricante:: Vishay

MOSFET Vishay SIA449DJ-T1-GE3, VDSS 30 V, ID 10,4 A, SOT-363 de 6 pines, , config. Simple

Documentación Técnica

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

Especificaciones

MOSFET de canal P, TrenchFET Gen III, Vishay Semiconductor

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