MOSFET de potencia DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT6018LDR-13, VDSS 60 V, ID 9.1 A, VDFN, Mejora de 8 pines, 2, config.

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
182-7493
Nº ref. fabric.:
DMT6018LDR-13
Fabricante:
DiodesZetex
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Marca

DiodesZetex

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Corriente continua máxima de drenaje ld

9.1A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

VDFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

26mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.2nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

150°C

Disipación de potencia máxima Pd

1.9W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.75V

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Anchura

3.05 mm

Certificaciones y estándares

J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS

Altura

0.8mm

Longitud

3.05mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

No

COO (País de Origen):
CN
This new generation MOSFET is designed to minimize the on-state resistance (RDS(ON)) and yet maintain superior switching performance, making it ideal for high efficiency power management applications.

Low On-Resistance

Low Input Capacitance

Fast Switching Speed

Low Input/Output Leakage

Applications

Power Management Functions

Analog Switch

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