MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMHT10H032LFJ-13, VDSS 100 V, ID 6 A, VDFN, Mejora de 12 pines, 1, config. Doble
- Código RS:
- 213-9147
- Nº ref. fabric.:
- DMHT10H032LFJ-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 1,817 € | 18,17 € |
| 50 - 90 | 1,781 € | 17,81 € |
| 100 - 240 | 1,589 € | 15,89 € |
| 250 - 990 | 1,557 € | 15,57 € |
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- Código RS:
- 213-9147
- Nº ref. fabric.:
- DMHT10H032LFJ-13
- Fabricante:
- DiodesZetex
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | VDFN | |
| Serie | DMHT10H032LFJ | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 12 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.033Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 64W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 0.8mm | |
| Certificaciones y estándares | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Anchura | 4.5 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Número de elementos por chip | 1 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado VDFN | ||
Serie DMHT10H032LFJ | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 12 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.033Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 64W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 0.8mm | ||
Certificaciones y estándares AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Anchura 4.5 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Número de elementos por chip 1 | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
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