MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal, VDSS 30 V, ID 10.6 A, VDFN-3030, Mejora de 8 pines, config. Doble

Ver todo MOSFET

Subtotal (1 bobina de 1500 unidades)*

456,00 €

(exc. IVA)

552,00 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 1500 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Bobina*
1500 +0,304 €456,00 €

*precio indicativo

Código RS:
222-2867
Nº ref. fabric.:
DMT3009UDT-7
Fabricante:
DiodesZetex
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

DiodesZetex

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

10.6A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

VDFN-3030

Serie

DMT

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

0.011Ω

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

14.6nC

Tensión directa Vf

0.8V

Disipación de potencia máxima Pd

16W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

12 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Configuración de transistor

Doble

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200

El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.

Tensión de umbral de puerta ultrabaja

Baja resistencia

Baja capacitancia de entrada

Velocidad de conmutación rápida

Enlaces relacionados