MOSFET DiodesZetex, Tipo N-Canal DMT3009UDT-7, VDSS 30 V, ID 10.6 A, VDFN-3030, Mejora de 8 pines, config. Doble
- Código RS:
- 222-2868
- Nº ref. fabric.:
- DMT3009UDT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Disponibilidad de stock no accesible
- Código RS:
- 222-2868
- Nº ref. fabric.:
- DMT3009UDT-7
- Fabricante:
- DiodesZetex
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | DiodesZetex | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 10.6A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Encapsulado | VDFN-3030 | |
| Serie | DMT | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.011Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.6nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 16W | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 12V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca DiodesZetex | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 10.6A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Encapsulado VDFN-3030 | ||
Serie DMT | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.011Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.6nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 16W | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 12V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200 | ||
El MOSFET de modo de mejora de canal n doble DiodesZetex está diseñado para minimizar la resistencia de estado de conexión (RDS(ON)) al tiempo que mantiene un rendimiento de conmutación superior, lo que lo convierte en ideal para aplicaciones de gestión de potencia de alta eficiencia.
Tensión de umbral de puerta ultrabaja
Baja resistencia
Baja capacitancia de entrada
Velocidad de conmutación rápida
Enlaces relacionados
- MOSFET DiodesZetex VDSS 30 V VDFN-3030 config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V VDFN 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 100 V VDFN 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 20 V VDFN 1, config. Doble
- MOSFET DiodesZetex VDSS 100 V VDFN 1, config. Doble
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 60 V VDFN 2, config.
- MOSFET de potencia DiodesZetex VDSS 60 V VDFN 2, config. Doble
- MOSFET VDSS 30 V Mejora, VDFN de 8 pines