MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMJS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 235 A, Mejora, LFPAK de 8 pines
- Código RS:
- 185-9186
- Nº ref. fabric.:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Fabricante:
- onsemi
Subtotal (1 paquete de 4 unidades)*
6,952 €
(exc. IVA)
8,412 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- 2740 Envío desde el 26 de enero de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 4 + | 1,738 € | 6,95 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 185-9186
- Nº ref. fabric.:
- NVMJS1D3N04CTWG
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 235A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 40V | |
| Encapsulado | LFPAK | |
| Serie | NVMJS1D3N04C | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.3mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 65nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 128W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 1.2mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Anchura | 4.9 mm | |
| Longitud | 5mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 235A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 40V | ||
Encapsulado LFPAK | ||
Serie NVMJS1D3N04C | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.3mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 65nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 128W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 1.2mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Anchura 4.9 mm | ||
Longitud 5mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
Estado RoHS: No cumple
- COO (País de Origen):
- PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.
Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design
Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses
Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses
LFPAK8 Package, Industry Standard
PPAP Capable
These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free
Enlaces relacionados
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, DFN de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 4 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines
- MOSFET VDSS 40 V Mejora, LFPAK de 8 pines