MOSFET, Tipo N-Canal onsemi NVMJS1D3N04CTWG, VDSS 40 V, ID 235 A, Mejora, LFPAK de 8 pines

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Código RS:
185-9186
Nº ref. fabric.:
NVMJS1D3N04CTWG
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

235A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Encapsulado

LFPAK

Serie

NVMJS1D3N04C

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.3mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

65nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Disipación de potencia máxima Pd

128W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

1.2mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

4.9 mm

Longitud

5mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Estado RoHS: No cumple

COO (País de Origen):
PH
Automotive Power MOSFET in a 5x6mm LFPAK package designed for compact and efficient designs and including high thermal performance. MOSFET and PPAP capable suitable for automotive applications requiring enhanced board level reliability.

Small Footprint (5x6 mm) for Compact Design

Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses

Low QG and Capacitance to Minimize Driver Losses

LFPAK8 Package, Industry Standard

PPAP Capable

These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free

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