MOSFET, N-Canal Vishay SiSS92DN-T1-GE3, VDSS 250 V, ID 12.3 A, Mejora, PowerPAK 1212 de 8 pines

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Código RS:
188-4960
Número de artículo Distrelec:
304-32-538
Nº ref. fabric.:
SiSS92DN-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12.3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

250V

Serie

SiSS92DN

Encapsulado

PowerPAK 1212

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

190mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

65.8W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.3mm

Altura

0.78mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

3.3mm

Estándar de automoción

No

MOSFET N-Channel 250 V (D-S).

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