MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD6H852NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
195-2556
Nº ref. fabric.:
NVMFD6H852NLWFT1G
Fabricante:
onsemi
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Marca

onsemi

Tipo de producto

MOSFET de potencia

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Encapsulado

DFN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

31.5mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

3.2W

Temperatura de Funcionamiento Mínima

175°C

Tensión directa Vf

0.8V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

10nC

Temperatura de funcionamiento máxima

-55°C

Configuración de transistor

Doble

Altura

1.05mm

Certificaciones y estándares

No

Longitud

6.1mm

Número de elementos por chip

2

Estándar de automoción

AEC-Q101

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto

Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción

Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador

NVMFD6H852NLWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada

Capacidad PPAP

Estos dispositivos no contienen plomo

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