MOSFET onsemi NVMFD6H852NLT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

Código RS:: 195-2561
Nº ref. fabric.:: NVMFD6H852NLT1G
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NVMFD6H852NLT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

3000 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 30)

0,861 €

(exc. IVA)

1,042 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
30 - 270	0,861 €	25,83 €
300 - 720	0,839 €	25,17 €
750 +	0,819 €	24,57 €

*precio indicativo

Código RS:: 195-2561
Nº ref. fabric.:: NVMFD6H852NLT1G
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet NVMFD6H852NLT1G

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Pequeño tamaño (5 x 6 mm) para diseño compacto
Baja RDS(on) para minimizar pérdidas de conducción
Valores bajos de capacitancia y QG para minimizar las pérdidas del controlador
NVMFD6H852NLWF − Opción de flancos sumergibles para inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Estos dispositivos no contienen plomo

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	25 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	80 V
Tipo de Encapsulado	DFN
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	8
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	31,5 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2V
Tensión de umbral de puerta mínima	1.2V
Disipación de Potencia Máxima	3,2 W
Configuración de transistor	Doble
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±20 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+175 °C
Longitud	6.1mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	10 nC a 10 V
Ancho	5.1mm
Número de Elementos por Chip	2
Estándar de automoción	AEC-Q101
Tensión de diodo directa	1.2V
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C
Altura	1.05mm

MOSFET onsemi NVMFD6H852NLT1G, VDSS 80 V, ID 25 A, DFN de 8 pines, 2elementos, config. Doble

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Legislación y Conformidad

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Especificaciones

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