MOSFET onsemi NVB190N65S3F, VDSS 650 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Código RS:: 195-2667
Nº ref. fabric.:: NVB190N65S3F
Fabricante:: onsemi

MOSFET onsemi NVB190N65S3F, VDSS 650 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

3,039 €

(exc. IVA)

3,677 €

(inc.IVA)

999999999 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 40	3,039 €	30,39 €
50 - 90	2,958 €	29,58 €
100 - 190	2,878 €	28,78 €
200 - 390	2,805 €	28,05 €
400 +	2,735 €	27,35 €

*precio indicativo

Código RS:: 195-2667
Nº ref. fabric.:: NVB190N65S3F
Fabricante:: onsemi

Documentación Técnica

Datasheet NVB190N65S3F

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

SUPERFET III MOSFET es la nueva familia de MOSFET de superempalme (SJ) de alta tensión de la marca ON Semiconductor que utiliza tecnología de equilibrio de carga para una resistencia de conexión muy baja y menor rendimiento de carga de puerta. Esta tecnología avanzada está personalizada para minimizar la pérdida de conducción, proporcionar un rendimiento de conmutación superior y resistir condiciones extremas de velocidad de dv/dt. Por consiguiente, SuperFET III MOSFET es muy adecuado para los diversos sistemas de potencia para miniaturización y mayor eficiencia. El rendimiento de recuperación inversa optimizado de MOSFET SuperFET III FRFET® puede eliminar componentes adicionales y mejorar la fiabilidad del sistema.

701 V A TJ = 150 °C.
Mayor fiabilidad del sistema a baja temperatura de funcionamiento
Carga de compuerta ultrabaja (Típ. Qg = 33 nC)
Menor pérdida de conmutación
Baja capacitancia de salida eficaz (Típ. Coss(ef.) = 300 pF)
Menor pérdida de conmutación
Capacidad PPAP
Típ. RDS(on) = 158 mΩ
Aplicación
Convertidor dc/dc

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	20 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	650 V
Tipo de Encapsulado	D2PAK (TO-263)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	190 mΩ
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	5V
Tensión de umbral de puerta mínima	3V
Disipación de Potencia Máxima	162 W
Configuración de transistor	Simple
Tensión Máxima Puerta-Fuente	±30 V
Temperatura Máxima de Funcionamiento	+150 °C
Longitud	10.67mm
Ancho	9.65mm
Carga Típica de Puerta @ Vgs	34 a 10 V NC
Número de Elementos por Chip	1
Tensión de diodo directa	1.3V
Altura	4.58mm
Estándar de automoción	AEC-Q101
Temperatura de Funcionamiento Mínima	-55 °C

MOSFET onsemi NVB190N65S3F, VDSS 650 V, ID 20 A, D2PAK (TO-263) de 3 pines, , config. Simple

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