MOSFET de potencia onsemi, Tipo N-Canal NVMFD6H840NLWFT1G, VDSS 80 V, ID 74 A, DFN, Mejora de 8 pines, 2, config. Doble
- Código RS:
- 195-2671
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 135 | 1,671 € | 25,07 € |
| 150 - 360 | 1,44 € | 21,60 € |
| 375 + | 1,248 € | 18,72 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 195-2671
- Nº ref. fabric.:
- NVMFD6H840NLWFT1G
- Fabricante:
- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET de potencia | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 74A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 8.8mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.8V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | 175°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 32nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3.1W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | -55°C | |
| Configuración de transistor | Doble | |
| Altura | 1.05mm | |
| Longitud | 6.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Número de elementos por chip | 2 | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET de potencia | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 74A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 8.8mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.8V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima 175°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 32nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3.1W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima -55°C | ||
Configuración de transistor Doble | ||
Altura 1.05mm | ||
Longitud 6.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Número de elementos por chip 2 | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de potencia de automoción en un encapsulado de cable plano de 3 x 3 mm diseñado para modelos compactos y eficientes que incluye alto rendimiento térmico. Opción de flanco sumergible disponible para inspección óptica mejorada. MOSFET y capacidad PPAP ideal para aplicaciones de automoción.
Tamaño pequeño (5x6 mm)
Diseño compacto
Baja RDS(on)
Minimiza las pérdidas de conducción
Baja QG y capacitancia
Minimiza las pérdidas de controlador
NVMFS5C410NLWF − Opción de flanco sumergible
Inspección óptica mejorada
Capacidad PPAP
Aplicación
Protección de batería inversa
Fuentes de alimentación de conmutación
Interruptores de alimentación (driver de lado alto, driver de lado bajo, medios puentes, etc.).
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