MOSFET, N-Canal onsemi NTMFSC004N08MC, VDSS 80 V, ID 136 A, Mejora, DFN de 8 pines
- Código RS:
- 202-5712
- Nº ref. fabric.:
- NTMFSC004N08MC
- Fabricante:
- onsemi
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- Código RS:
- 202-5712
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- NTMFSC004N08MC
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- onsemi
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 136A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | NTMFS | |
| Encapsulado | DFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 4mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 127W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 43.4nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 950μm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS, MSL1 | |
| Altura | 6.25mm | |
| Longitud | 5.1mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 136A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie NTMFS | ||
Encapsulado DFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 4mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 127W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 43.4nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 950μm | ||
Certificaciones y estándares RoHS, MSL1 | ||
Altura 6.25mm | ||
Longitud 5.1mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia de canal N único DE on Semiconductor funciona con 136 amperios y 80 voltios. Se puede utilizar en aplicaciones de conmutación de carga/FET de anillo, rectificador síncrono y conversión dc-dc.
Encapsulado refrigerado Advanced de doble cara
Sin plomo
En conformidad con RoHS
Diseño de encapsulado robusto MSL1
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