MOSFET, N-Canal Vishay SiJ462ADP-T1-GE3, VDSS 60 V, ID 39.3 A, Mejora, SO-8 de 4 pines
- Código RS:
- 204-7214
- Nº ref. fabric.:
- SiJ462ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 204-7214
- Nº ref. fabric.:
- SiJ462ADP-T1-GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 39.3A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | SiJ462ADP | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 7.2mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 22.3W | |
| Tensión directa Vf | 1.1V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 1.14mm | |
| Longitud | 5.25mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 6.25mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 39.3A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie SiJ462ADP | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 7.2mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Disipación de potencia máxima Pd 22.3W | ||
Tensión directa Vf 1.1V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 1.14mm | ||
Longitud 5.25mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 6.25mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Vishay de canal N de 60 V (D-S) tiene un QG muy bajo y QOSS reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia. Sus cables flexibles proporcionan resistencia a la tensión mecánica.
MOSFET de potencia TrenchFET Gen IV
100 % RG y prueba UIS
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