MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SiJ128LDP-T1-GE3, VDSS 80 V, ID 25.5 A, Mejora, SO-8 de 4 pines

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Código RS:
204-7217
Nº ref. fabric.:
SiJ128LDP-T1-GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

25.5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

80V

Serie

SiJ128LDP

Encapsulado

SO-8

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15.6mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

30nC

Disipación de potencia máxima Pd

22.3W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

5.25mm

Altura

6.25mm

Anchura

1.14 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de 80 V (D-S) tiene un QG muy bajo y QOSS reduce la pérdida de potencia y mejora la eficiencia. Tiene un QG y QOSS muy bajos que reducen la pérdida de potencia y mejoran la eficiencia.

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