MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal onsemi NTBG160N120SC1, VDSS 1200 V, ID 19.5 A, Mejora, TO-263 de 7 pines
- Código RS:
- 205-2494
- Nº ref. fabric.:
- NTBG160N120SC1
- Fabricante:
- onsemi
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Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | onsemi | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 19.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 1200V | |
| Serie | NTB | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 7 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 225mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 33.8nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 136W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 3.9V | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 25 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | Pb-Free, RoHS | |
| Longitud | 15.1mm | |
| Altura | 4.3mm | |
| Anchura | 9.7 mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca onsemi | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 19.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 1200V | ||
Serie NTB | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 7 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 225mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 33.8nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 136W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 3.9V | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 25 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares Pb-Free, RoHS | ||
Longitud 15.1mm | ||
Altura 4.3mm | ||
Anchura 9.7 mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L MOSFET de carburo de silicio (SiC) - EliteSiC, 160 mohm, 1.200 V, M1, D2PAK-7L
El MOSFET 1200V de canal N de SiC DE ON Semiconductor utiliza una tecnología completamente nueva que proporciona un rendimiento de conmutación superior y mayor fiabilidad en comparación con el silicio. Además, la baja resistencia DE ENCENDIDO y el tamaño de chip compacto garantizan una baja capacitancia y carga de puerta. Por consiguiente, las ventajas del sistema incluyen la mayor eficiencia, la frecuencia de funcionamiento faster, la mayor densidad de potencia, la reducción de EMI y el menor tamaño del sistema.
La corriente nominal de drenaje continuo es de 19,5 A.
El valor nominal de resistencia de drenaje a fuente es 224mohm
Carga de compuerta ultrabaja
Conmutación de alta velocidad y baja capacitancia
Prueba de avalancha al 100 %
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