MOSFET, Tipo N-Canal Vishay SQ2318BES-T1_GE3, VDSS 40 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines

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Código RS:
210-5022
Nº ref. fabric.:
SQ2318BES-T1_GE3
Fabricante:
Vishay
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Marca

Vishay

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

8A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

SQ2318BES

Encapsulado

SOT-23

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

21mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

6.7nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

3W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Longitud

3.04mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

1.12mm

Anchura

1.4 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Vishay de canal N de automoción de 40 V (D-S) 175 °C tiene un tipo de encapsulado SOT-23.

Certificación AEC-Q101

100 % RG y prueba UIS

En conformidad con RoHS

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