MOSFET, N-Canal Vishay SQ2348CES-T1_GE3, VDSS 30 V, ID 8 A, Mejora, SOT-23 de 3 pines
- Código RS:
- 280-0009
- Nº ref. fabric.:
- SQ2348CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
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- Código RS:
- 280-0009
- Nº ref. fabric.:
- SQ2348CES-T1_GE3
- Fabricante:
- Vishay
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Vishay | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 8A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 30V | |
| Serie | SQ | |
| Encapsulado | SOT-23 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 0.042Ω | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Tensión directa Vf | 0.81V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.5nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 3W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Longitud | 3.04mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Vishay | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 8A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 30V | ||
Serie SQ | ||
Encapsulado SOT-23 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 0.042Ω | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Tensión directa Vf 0.81V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.5nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 3W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Longitud 3.04mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de automoción Vishay es de canal N, y el transistor que lleva está fabricado de un material conocido como silicio.
MOSFET de potencia TrenchFET
Probado al 100 % en cuanto a Rg y UIS
Calificación AEC-Q101
Dispositivo completamente libre de plomo (Pb)
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