MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ070N08LS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 214-4341
- Nº ref. fabric.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4341
- Nº ref. fabric.:
- BSZ070N08LS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.4mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 69W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 14.1nC | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Altura | 1.1mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.4mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 69W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 14.1nC | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Altura 1.1mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia OptiMOSTM 5 de nivel lógico proporcionan un bajo RDS(on) en un encapsulado pequeño
Los MOSFET de potencia OptiMOSTM 5 de nivel lógico de Infineon son muy adecuados para aplicaciones de carga inalámbrica, adaptadores y telecomunicaciones. La carga de puerta baja de los dispositivos (Q g) reduce las pérdidas de conmutación sin comprometer las pérdidas de conducción. Los higos de mérito mejorados permiten operaciones a altas frecuencias de conmutación. Además, la unidad de nivel lógico proporciona una tensión de umbral de puerta baja (V GS(th)) que permite accionar los MOSFET a 5 V y directamente desde los microcontroladores.