MOSFET, Tipo N-Canal Infineon ISZ0602NLSATMA1, VDSS 80 V, ID 64 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 232-6769
- Nº ref. fabric.:
- ISZ0602NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*
7,66 €
(exc. IVA)
9,27 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 4695 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 1,532 € | 7,66 € |
| 50 - 120 | 1,38 € | 6,90 € |
| 125 - 245 | 1,288 € | 6,44 € |
| 250 - 495 | 1,196 € | 5,98 € |
| 500 + | 1,102 € | 5,51 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 232-6769
- Nº ref. fabric.:
- ISZ0602NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.9mΩ | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 3.4mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Encapsulado PQFN | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.9mΩ | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Longitud 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 3.4mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 80 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado PQFN 3.3x3.3 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha