MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRFH8311TRPBF, VDSS 80 V, ID 30 A, Mejora, PQFN de 4 pines
- Código RS:
- 222-4747
- Nº ref. fabric.:
- IRFH8311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,915 € | 13,73 € |
| 75 - 135 | 0,87 € | 13,05 € |
| 150 - 360 | 0,851 € | 12,77 € |
| 375 - 735 | 0,796 € | 11,94 € |
| 750 + | 0,741 € | 11,12 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 222-4747
- Nº ref. fabric.:
- IRFH8311TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 30A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 4 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 2.1mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 30nC | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 96W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Anchura | 6.15 mm | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Altura | 1.17mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 30A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 4 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 2.1mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 30nC | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 96W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Anchura 6.15 mm | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Altura 1.17mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El diseño Infineon de los MOSFET de potencia HEXFET®, también conocidos como transistores MOSFET, significa ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
RDSon bajo (<1,15 mΩ)
Baja resistencia térmica a PCB (<0,8 °C/W)
Probado 100 % RG
Perfil bajo (<0,9 mm)