MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 80 V, ID 64 A, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 232-6768
- Nº ref. fabric.:
- ISZ0602NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Subtotal (1 bobina de 5000 unidades)*
1.955,00 €
(exc. IVA)
2.365,00 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Agotado temporalmente
- Envío desde el 22 de junio de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Bobina* |
|---|---|---|
| 5000 + | 0,391 € | 1.955,00 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 232-6768
- Nº ref. fabric.:
- ISZ0602NLSATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 64A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 9.9mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 29nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 60W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Anchura | 1.1 mm | |
| Altura | 3.4mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 64A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 9.9mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 29nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 60W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 3.4mm | ||
Anchura 1.1 mm | ||
Altura 3.4mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de potencia OptiMOS PD de 80 V de Infineon está diseñado para aplicaciones de adaptador y USB-PD. Su encapsulado PQFN 3.3x3.3 ofrece una aceleración rápida y plazos de entrega optimizados. Los MOSFET de baja tensión OptiMOS para suministro de alimentación permiten diseños con menos piezas, lo que permite reducir los costes de la lista de materiales. OptiMOS PD incluye productos de calidad en encapsulados compactos y ligeros.
Disponibilidad de nivel lógico
Excelente comportamiento térmico
100 % a prueba de avalancha