MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IRL80HS120, VDSS 80 V, ID 12.5 A, PQFN
- Código RS:
- 217-2640
- Nº ref. fabric.:
- IRL80HS120
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 217-2640
- Nº ref. fabric.:
- IRL80HS120
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12.5A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 42mΩ | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 11.5W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 7nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Altura | 2.1mm | |
| Anchura | 1 mm | |
| Longitud | 2.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12.5A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 42mΩ | ||
Disipación de potencia máxima Pd 11.5W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 7nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Altura 2.1mm | ||
Anchura 1 mm | ||
Longitud 2.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
Infineon está disponible en tres clases de tensión diferentes (60V, 80V y 100V), los nuevos MOSFET de potencia de nivel lógico de Infineon son muy adecuados para aplicaciones de carga inalámbrica, telecomunicaciones y adaptador. El encapsulado PQFN 2x2 es especialmente adecuado para aplicaciones críticas de factor de forma y conmutación de alta velocidad. Permite una mayor densidad de potencia y eficiencia mejorada, así como un ahorro de espacio significativo.
FOM más bajo (R DS(on) x Q g/gd)
Q g, C oss y Q rr optimizados para una conmutación rápida
Compatibilidad de nivel lógico
Encapsulado PQFN 2x2mm pequeño