MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSZ110N08NS5ATMA1, VDSS 80 V, ID 40 A, N, PQFN de 8 pines
- Código RS:
- 214-4345
- Nº ref. fabric.:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*
17,68 €
(exc. IVA)
21,40 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 80,00 €
Disponible
- Disponible(s) 13.700 unidad(es) para enviar desde otro centro de distribución
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,884 € | 17,68 € |
| 100 - 180 | 0,839 € | 16,78 € |
| 200 - 480 | 0,804 € | 16,08 € |
| 500 - 980 | 0,769 € | 15,38 € |
| 1000 + | 0,715 € | 14,30 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4345
- Nº ref. fabric.:
- BSZ110N08NS5ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 40A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 80V | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Encapsulado | PQFN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 11mΩ | |
| Modo de canal | N | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 50W | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 15nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 1.1mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 3.4mm | |
| Anchura | 3.4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 40A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 80V | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Encapsulado PQFN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 11mΩ | ||
Modo de canal N | ||
Disipación de potencia máxima Pd 50W | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 15nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 1.1mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 3.4mm | ||
Anchura 3.4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET de súper unión MOS P7 600V Cool sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS™ 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
