MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPA041N04NGXKSA1, VDSS 40 V, ID 70 A, N, TO-220 de 3 pines

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Código RS:
214-4350
Nº ref. fabric.:
IPA041N04NGXKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

40V

Serie

OptiMOS 3

Encapsulado

TO-220

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

4.1mΩ

Modo de canal

N

Disipación de potencia máxima Pd

35W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

42nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Longitud

10.68mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

16.15 mm

Altura

4.85mm

Estándar de automoción

No

Este MOSFET Infineon OptiMOS 3 dispone no solo de R DS(on) más bajo del sector, sino también de un comportamiento de conmutación perfecto para aplicaciones de conmutación rápida. La tecnología Advanced Thin Wafer ha conseguido un 15 % menos de R DS(on) y un 31 % menos de mérito (R DS(on) x Q g) en comparación con dispositivos alternativos.

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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