MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R280P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4370
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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*precio indicativo
- Código RS:
- 214-4370
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Altura | 4.5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Altura 4.5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Longitud 10.02mm | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.
Dispone de diodo de cuerpo resistente
RG integrado reduce la sensibilidad a la oscilación del MOSFET
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