MOSFET, N-Canal Infineon IPB60R280P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines
- Código RS:
- 214-4370
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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- Código RS:
- 214-4370
- Nº ref. fabric.:
- IPB60R280P7ATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 12A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 600V | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | TO-263 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 280mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 18nC | |
| Tensión directa Vf | 900mV | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 53W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 10.02mm | |
| Anchura | 9.27mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 4.5mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 12A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 600V | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Encapsulado TO-263 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 280mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 18nC | ||
Tensión directa Vf 900mV | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 53W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 10.02mm | ||
Anchura 9.27mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 4.5mm | ||
Estándar de automoción No | ||
MOSFET CoolMOS serie P7 de 600 V de Infineon, tensión de fuente de drenaje de 600 V, corriente de drenaje continua de 12 A - IPB60R280P7ATMA1
Este MOSFET es un dispositivo de mejora de canal N de alta tensión diseñado para conmutación de potencia en sistemas electrónicos exigentes. Funciona en un amplio rango de temperaturas y está diseñado para aplicaciones de montaje en superficie en las que se requiere un manejo de tensión robusto y un accionamiento de puerta controlado. El componente es adecuado para diseños que requieren bloqueo de alta tensión, corriente de conducción moderada y montaje compacto.
Características y ventajas:
• Valor nominal de fuente de drenaje de 600 V para capacidad de conmutación de alta tensión
• Corriente de drenaje continua de 12 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 280 mΩ para una conducción eficiente en condiciones de funcionamiento normales
• Carga de puerta típica de 18 nC para una energía de conmutación predecible
• Disipación de potencia máxima de 53 W para el margen térmico en etapas de potencia
• Tolerancia de puerta de 20 V para compatibilidad con controladores de puerta comunes
• Corriente de drenaje continua de 12 A para una manipulación de carga sostenida
• Rds(on) de 280 mΩ para una conducción eficiente en condiciones de funcionamiento normales
• Carga de puerta típica de 18 nC para una energía de conmutación predecible
• Disipación de potencia máxima de 53 W para el margen térmico en etapas de potencia
• Tolerancia de puerta de 20 V para compatibilidad con controladores de puerta comunes
Aplicaciones
• Adecuado para fuentes de alimentación fuera de línea e interruptores primarios SMPS
• Ideal para convertidores dc-dc de alta tensión y módulos de potencia
• Se utiliza con redes de rectificador y amortiguador en el acondicionamiento de potencia
• Se puede utilizar para frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para sistemas de alimentación de telecomunicaciones que requieren un montaje eficiente en el espacio
• Ideal para convertidores dc-dc de alta tensión y módulos de potencia
• Se utiliza con redes de rectificador y amortiguador en el acondicionamiento de potencia
• Se puede utilizar para frontales de accionamiento de motor industriales
• Se utiliza para sistemas de alimentación de telecomunicaciones que requieren un montaje eficiente en el espacio
¿Qué encapsulado y método de montaje requiere?
Se suministra en un encapsulado TO-263 diseñado para montaje en superficie para proporcionar una integración de placa de perfil bajo y una conducción térmica eficiente a nivel de placa.
¿Qué límites térmicos rigen su uso en entornos de alta temperatura?
El dispositivo está diseñado para funcionar entre -55 °C y 150 °C, lo que define las condiciones ambientales y de unión admisibles para un funcionamiento fiable dentro de ese rango.
¿Cómo influye la especificación de la puerta en la selección de controladores externos?
Con una tensión de fuente de puerta máxima de 20 V, los controladores deben mantener el Vgs de pico dentro de este límite y tener en cuenta la carga de puerta típica de 18 nC al dimensionar la corriente de accionamiento para la velocidad de conmutación deseada.
¿Qué comportamiento de conducción deben prever los diseñadores con carga continua?
Espera corrientes de drenaje continuas de hasta 12 A, con pérdidas de conducción influidas por la resistencia de encendido de 280 mΩ especificada y el diseño térmico general de la placa.
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