MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R280P7ATMA1, VDSS 600 V, ID 12 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
214-4370
Nº ref. fabric.:
IPB60R280P7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

12A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-263

Serie

600V CoolMOS P7

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

280mΩ

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

18nC

Disipación de potencia máxima Pd

53W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Longitud

10.02mm

Altura

4.5mm

Anchura

9.27 mm

Estándar de automoción

No

El MOSFET Infineon 600V Cool MOS P7 de súper unión sigue equilibrando la necesidad de alta eficiencia con la facilidad de uso en el proceso de diseño. La mejor RonxA de su clase y la carga de puerta (QG) inherentemente baja de la plataforma de generación Cool MOS 7th garantizan su alta eficiencia.

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