MOSFET, N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4389
Nº ref. fabric.:
IPD70N12S311ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

N

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Tensión directa Vf

1.2V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Altura

2.35mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.42mm

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS es adecuado para aplicaciones de automoción y está probado al 100 % en avalancha.

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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