MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 120 V, ID 50 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-9037
Nº ref. fabric.:
IPD50N12S3L15ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Encapsulado

TO-252

Serie

OptiMOS-T

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

15mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

100W

Tensión directa Vf

1.2V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

44nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.5mm

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.3mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Los productos Infineon OptiMOS-T están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

Tiene certificación AEC Q101 para automoción

Prueba de avalancha al 100 %

Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

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