MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPD70N12S311ATMA1, VDSS 120 V, ID 70 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
214-4390
Nº ref. fabric.:
IPD70N12S311ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

70A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

120V

Serie

OptiMOS-T

Encapsulado

TO-252

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

11.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

1.2V

Disipación de potencia máxima Pd

125W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

51nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

2.35mm

Anchura

6.42 mm

Longitud

6.65mm

Estándar de automoción

AEC-Q101

Este MOSFET Infineon OptiMOS es adecuado para aplicaciones de automoción y está probado al 100 % en avalancha.

No contiene halógenos conforme a IEC61249-2-21

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