MOSFET Infineon IPD50N12S3L15ATMA1, VDSS 120 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines

Código RS:: 214-9038
Nº ref. fabric.:: IPD50N12S3L15ATMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD50N12S3L15ATMA1, VDSS 120 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines

Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.

Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 10)

1,843 €

(exc. IVA)

2,23 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Pack*
10 - 10	1,843 €	18,43 €
20 - 90	1,689 €	16,89 €
100 - 240	1,559 €	15,59 €
250 - 490	1,449 €	14,49 €
500 +	1,406 €	14,06 €

*precio indicativo

Código RS:: 214-9038
Nº ref. fabric.:: IPD50N12S3L15ATMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPD50N12S3L15ATMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Los productos Infineon OptiMOS-T están disponibles en encapsulados de alto rendimiento para hacer frente a las aplicaciones más exigentes, lo que proporciona una flexibilidad total en espacios limitados. Estos productos de Infineon están diseñados para cumplir y superar los requisitos de eficiencia energética y densidad de potencia de las normativas más exigentes de regulación de tensión de próxima generación en aplicaciones de computación. Se trata de encapsulados robustos con una calidad y fiabilidad superiores.

Tiene certificación AEC Q101 para automoción
Prueba de avalancha al 100 %
Tiene una temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	50 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	120 V
Serie	OptiMOS™-T
Tipo de Encapsulado	TO-252
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	0,015 O
Modo de Canal	Mejora
Tensión de umbral de puerta máxima	2.4V
Número de Elementos por Chip	1
Material del transistor	Si

MOSFET Infineon IPD50N12S3L15ATMA1, VDSS 120 V, ID 50 A, TO-252 de 3 pines

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Especificaciones

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