MOSFET Infineon BSC034N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, SuperSO8 5 x 6 de 8 pines
- Código RS:
- 215-2459
- Nº ref. fabric.:
- BSC034N03LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 20)
0,613 €
(exc. IVA)
0,742 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,613 € | 12,26 € |
| 100 - 180 | 0,582 € | 11,64 € |
| 200 - 480 | 0,558 € | 11,16 € |
| 500 - 980 | 0,533 € | 10,66 € |
| 1000 + | 0,496 € | 9,92 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 215-2459
- Nº ref. fabric.:
- BSC034N03LSGATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
La serie OptiMOS™3 Power-MOSFET de Infineon tiene tensión de fuente de drenaje máxima 30V con tipo de encapsulado SuperSO8 5x6. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la menor resistencia de estado de conexión en encapsulados de tamaño pequeño, convierten al OptiMOS™ 25V en la mejor opción para los exigentes requisitos de soluciones de regulador de tensión en servidores, comunicaciones de datos y aplicaciones de telecomunicaciones. Los productos OptiMOS™ 30V se adaptan a las necesidades de gestión de potencia en portátiles gracias a un comportamiento EMI mejorado, así como a una mayor duración de la batería. Disponible en configuración de medio puente (fase de alimentación 5x6).
MOSFET de conmutación rápida para SMPS
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N.
Tecnología optimizada para convertidores dc/dc
Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino
Canal N.
Nivel lógico
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Resistencia térmica superior
Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)
RDS(on) de muy baja resistencia
Resistencia térmica superior
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 100 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 30 V |
| Tipo de Encapsulado | SuperSO8 5 x 6 |
| Serie | OptiMOS™ |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 8 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 0.0051 Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 2.2V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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