MOSFET, Tipo N-Canal Infineon BSC034N03LSGATMA1, VDSS 30 V, ID 100 A, Mejora, SuperSO de 8 pines

Descuento aplicable por cantidad
Ver precios por cantidad

Subtotal (1 paquete de 20 unidades)*

15,96 €

(exc. IVA)

19,32 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Últimas existencias de RS
  • Última(s) 12.900 unidad(es) disponible(s) para enviar desde otro centro de distribución

Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
20 - 800,798 €15,96 €
100 - 1800,759 €15,18 €
200 - 4800,726 €14,52 €
500 - 9800,694 €13,88 €
1000 +0,646 €12,92 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
215-2459
Nº ref. fabric.:
BSC034N03LSGATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

30V

Encapsulado

SuperSO

Serie

OptiMOS

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

5.1mΩ

Modo de canal

Mejora

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión directa Vf

1.1V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

39nC

Disipación de potencia máxima Pd

63W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie OptiMOS™3 Power-MOSFET de Infineon tiene tensión de fuente de drenaje máxima 30V con tipo de encapsulado SuperSO8 5x6. La carga de salida y puerta ultrabaja, junto con la menor resistencia de estado de conexión en encapsulados de tamaño pequeño, convierten al OptiMOS™ 25V en la mejor opción para los exigentes requisitos de soluciones de regulador de tensión en servidores, comunicaciones de datos y aplicaciones de telecomunicaciones. Los productos OptiMOS™ 30V se adaptan a las necesidades de gestión de potencia en portátiles gracias a un comportamiento EMI mejorado, así como a una mayor duración de la batería. Disponible en configuración de medio puente (fase de alimentación 5x6).

MOSFET de conmutación rápida para SMPS

Tecnología optimizada para convertidores dc/dc

Homologación según JEDEC1) para aplicaciones de destino

Canal N.; Nivel lógico

Excelente carga de compuerta por producto RDS(on) (FOM)

RDS(on) de muy baja resistencia

Resistencia térmica superior

Enlaces relacionados

Mantente al día de nuestras novedades y ofertas

Introduce tu dirección de correo

La información personal que nos proporciones al suscribirte se procesará de acuerdo con nuestra política de privacidad.