MOSFET, Tipo N-Canal Taiwan Semiconductor TSM300NB06DCR, VDSS 60 V, ID 25 A, Mejora, PDFN56 de 8 pines
- Código RS:
- 216-9714
- Nº ref. fabric.:
- TSM300NB06DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
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*precio indicativo
- Código RS:
- 216-9714
- Nº ref. fabric.:
- TSM300NB06DCR
- Fabricante:
- Taiwan Semiconductor
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
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Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Taiwan Semiconductor | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 25A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Encapsulado | PDFN56 | |
| Serie | TSM025 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 30mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.2V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 17nC | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 40W | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Anchura | 5.2 mm | |
| Altura | 1.15mm | |
| Longitud | 6.2mm | |
| Certificaciones y estándares | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Taiwan Semiconductor | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 25A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Encapsulado PDFN56 | ||
Serie TSM025 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 30mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.2V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 17nC | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 40W | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Anchura 5.2 mm | ||
Altura 1.15mm | ||
Longitud 6.2mm | ||
Certificaciones y estándares IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Estándar de automoción No | ||
Los transistores MOSFET Taiwan Semiconductor de potencia de canal N único, son los siglas en inglés de ’transistores de efecto de campo de semiconductor de óxido fetal’. Los MOSFET son dispositivos de transistor controlados por un condensador. El "efecto de campo" significa que están controlados por tensión. El objetivo de un MOSFET es controlar el flujo de la corriente que pasa desde la fuente hasta los terminales de drenaje.
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