MOSFET Infineon IPD60R1K5CEAUMA1, VDSS 600 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

Código RS:: 217-2520
Nº ref. fabric.:: IPD60R1K5CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

MOSFET Infineon IPD60R1K5CEAUMA1, VDSS 600 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

4800 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).

Precio unitario (Suministrado en Carretes de 2500)

0,212 €

(exc. IVA)

0,257 €

(inc.IVA)

Unidades	Por unidad	Por Carrete*
2500 - 2500	0,212 €	530,00 €
5000 +	0,202 €	505,00 €

*precio indicativo

Código RS:: 217-2520
Nº ref. fabric.:: IPD60R1K5CEAUMA1
Fabricante:: Infineon

Documentación Técnica

Datasheet - IPD60R1K5CEAUMA1

Legislación y Conformidad

Datos del Producto

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo
Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)
Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)
R g integrado optimizado

Especificaciones

Atributo	Valor
Tipo de Canal	N
Corriente Máxima Continua de Drenaje	5 A
Tensión Máxima Drenador-Fuente	600 V
Tipo de Encapsulado	DPAK (TO-252)
Tipo de Montaje	Montaje superficial
Conteo de Pines	3
Resistencia Máxima Drenador-Fuente	1,5 ohmios
Tensión de umbral de puerta máxima	3.5V
Número de Elementos por Chip	1

MOSFET Infineon IPD60R1K5CEAUMA1, VDSS 600 V, ID 5 A, DPAK (TO-252) de 3 pines

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Especificaciones

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