MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 5 A, Mejora, TO-252 de 3 pines

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Código RS:
217-2520
Nº ref. fabric.:
IPD60R1K5CEAUMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

5A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Encapsulado

TO-252

Serie

IPD

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5Ω

Modo de canal

Mejora

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

9.4nC

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-40°C

Disipación de potencia máxima Pd

49W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

0.9V

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Altura

2.41mm

Certificaciones y estándares

No

Anchura

6.22 mm

Longitud

6.73mm

Estándar de automoción

No

Infineon CoolMOS™ CE es adecuada para aplicaciones de conmutación dura y suave y, como superunión moderna, proporciona bajas pérdidas de conducción y conmutación, mejorando la eficiencia y, en última instancia, reduce el consumo de potencia. 700V, 650V y 600V CoolMOS™ CE combinan el R DS(on) óptimo y el encapsulado ofrece adecuado para cargadores de baja potencia para teléfonos móviles y tabletas.

Márgenes estrechos entre R DS(on) típico y máximo

Energía reducida almacenada en la capacitancia de salida (E OSS)

Buena resistencia de diodo de cuerpo y carga de recuperación inversa reducida (q rr)

R g integrado optimizado

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