MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 600 V, ID 50 A, Mejora, TO-247 de 4 pines

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Código RS:
217-2590
Nº ref. fabric.:
IPZ60R040C7XKSA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

50A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

CoolMOS C7

Encapsulado

TO-247

Tipo de montaje

Orificio pasante

Número de pines

4

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

40mΩ

Modo de canal

Mejora

Tensión directa Vf

0.9V

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

107nC

Disipación de potencia máxima Pd

227W

Temperatura de funcionamiento máxima

150°C

Certificaciones y estándares

No

Altura

41.42mm

Anchura

5.21 mm

Longitud

16.13mm

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Las aplicaciones de eficiencia y TCO (coste total de propiedad) como los hipercentros de datos y los rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece CoolMOS™ C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una fuente de alimentación de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET CoolMOS™ C7 SJ 600V en un encapsulado TO-247 4pin puede dar lugar a reducciones de coste de energía de ∼10% para pérdida de energía de fuente de alimentación.

Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss

Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)

Frecuencia de conmutación aumentada

Mejor R (on)*A del mundo

Diodo de cuerpo resistente

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