MOSFET Infineon IPZ60R040C7XKSA1, VDSS 600 V, ID 50 A, TO-247-4 de 4 pines

La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia. Las aplicaciones de eficiencia y TCO (coste total de propiedad) como los hipercentros de datos y los rectificadores de telecomunicaciones de alta eficiencia (>96%) se benefician de la mayor eficiencia que ofrece CoolMOS™ C7. Se pueden conseguir ganancias del 0,3 % al 0,7 % en topologías PFC y del 0,1 % en LLC. En el caso de una fuente de alimentación de servidor de 2,5 kW, por ejemplo, el uso de MOSFET CoolMOS™ C7 SJ 600V en un encapsulado TO-247 4pin puede dar lugar a reducciones de coste de energía de ∼10% para pérdida de energía de fuente de alimentación.

Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss
Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)
Frecuencia de conmutación aumentada
Mejor R (on)*A del mundo
Diodo de cuerpo resistente