MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 100 V, ID 180 A, Mejora, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7344
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFP4110
- Fabricante:
- Infineon
Descuento aplicable por cantidad
Subtotal (1 tubo de 25 unidades)*
94,575 €
(exc. IVA)
114,425 €
(inc.IVA)
Entrega GRATUITA para pedidos superiores a 95,00 €
Disponible
- Disponible(s) 250 unidad(es) más para enviar a partir del 19 de mayo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es) | Por unidad | Por Tubo* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | 3,783 € | 94,58 € |
| 50 - 100 | 3,594 € | 89,85 € |
| 125 + | 3,443 € | 86,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7344
- Nº ref. fabric.:
- AUIRFP4110
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 180A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | TO-247 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Orificio pasante | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 45mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 150nC | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 370W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Longitud | 15.87mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 5.31mm | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 180A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado TO-247 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Orificio pasante | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 45mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 150nC | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 370W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Longitud 15.87mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 5.31mm | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
La Infineon AUIRFP4110 está diseñada específicamente para aplicaciones de automoción. Esta MOSFET de potencia HEXFET utiliza las últimas técnicas de procesamiento para lograr una baja resistencia de conexión por área de silicio. Las características adicionales de este diseño son una temperatura de funcionamiento de 175 °C, velocidad de conmutación rápida y valor nominal de avalancha repetida mejorado. Estas características se combinan para convertir este diseño en un dispositivo muy eficiente y fiable para usar en aplicaciones de automoción y una amplia variedad de otras aplicaciones.
Tecnología Advanced Process
Resistencia de conexión ultrabaja
Temperatura de funcionamiento de 175 °C
Conmutación rápida
Avalancha repetitiva permitida hasta Tjmax
Enlaces relacionados
- MOSFET y Diodo VDSS 100 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET VDSS 100 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 700 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 3 pines
- MOSFET y Diodo VDSS 650 V Mejora, TO-247 de 4 pines