MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IPN60R600P7SATMA1, VDSS 650 V, ID 16 A, Mejora, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 220-7437
- Nº ref. fabric.:
- IPN60R600P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 0,649 € | 12,98 € |
| 100 - 180 | 0,617 € | 12,34 € |
| 200 - 480 | 0,59 € | 11,80 € |
| 500 - 980 | 0,565 € | 11,30 € |
| 1000 + | 0,454 € | 9,08 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7437
- Nº ref. fabric.:
- IPN60R600P7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 16A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 600mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 9nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 7W | |
| Tensión directa Vf | 0.9V | |
| Longitud | 6.7mm | |
| Altura | 1.8mm | |
| Anchura | 3.7 mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 16A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 600mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 9nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 7W | ||
Tensión directa Vf 0.9V | ||
Longitud 6.7mm | ||
Altura 1.8mm | ||
Anchura 3.7 mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción No | ||
El MOSFET Infineon Cool MOS P7 de super unión (SJ) está diseñado para hacer frente a los retos típicos del mercado de SMPS de baja potencia, ofreciendo un excelente rendimiento y facilidad de uso, lo que permite mejorar los factores de forma y la competitividad de precios. El encapsulado SOT-223 es una alternativa rentable de conexión uno a uno a DPAK que también permite reducir el tamaño en algunos diseños. Se puede colocar en un tamaño DPAK típico y muestra un rendimiento térmico comparable. Esta combinación convierte al MOS P7 frío en SOT-223 en perfecto para sus aplicaciones de destino. Los MOS 800V P7 y 700V Cool están optimizados para topologías de retorno. El MOSFET P7 Cool MOS 600V SJ es adecuado para topologías de conmutación (Fly Back, PFC y LLC) tanto duras como similares.
Facilidad de uso y diseño rápido gracias a una baja tendencia de timbre y uso
En etapas PFC y PWM
Gestión térmica simplificada gracias a la baja conmutación y conducción
pérdidas
Aumento de las soluciones de densidad de potencia gracias al uso de la herramienta de swith de productos
Menor tamaño de impresión y mayor calidad de fabricación gracias>a la tecnología 2kVESD
protección
Adecuado para una amplia variedad de aplicaciones y rangos de potencia
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