MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R360PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 100 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2269
- Nº ref. fabric.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,508 € | 2,54 € |
| 50 - 120 | 0,418 € | 2,09 € |
| 125 - 245 | 0,392 € | 1,96 € |
| 250 - 495 | 0,368 € | 1,84 € |
| 500 + | 0,336 € | 1,68 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2269
- Nº ref. fabric.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 100A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 650V | |
| Encapsulado | SOT-223 | |
| Serie | IPN | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 3 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 3mΩ | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 80nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 81W | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | RoHS | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 100A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 650V | ||
Encapsulado SOT-223 | ||
Serie IPN | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 3 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 3mΩ | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 80nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 81W | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares RoHS | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R360PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. El IPN60R360PFD7S en un encapsulado SOT-223 dispone de RDS(on) de 360mOhm MHz que da como resultado bajas pérdidas de conmutación.
RDS(on) x Eoss de FOM muy baja
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2kV kV
Amplia gama de valores RDS(ON)
Excelente resistencia de conmutación
EMI bajo
Amplia cartera de paquetes
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