MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R360PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 100 A, SOT-223 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-2269
Nº ref. fabric.:
IPN60R360PFD7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

100A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPN

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R360PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. El IPN60R360PFD7S en un encapsulado SOT-223 dispone de RDS(on) de 360mOhm MHz que da como resultado bajas pérdidas de conmutación.

RDS(on) x Eoss de FOM muy baja

Diodo de cuerpo rápido robusto integrado

Protección ESD de hasta 2kV kV

Amplia gama de valores RDS(ON)

Excelente resistencia de conmutación

EMI bajo

Amplia cartera de paquetes

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