MOSFET Infineon IPN60R360PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 10 A, SOT-223 de 3 pines
- Código RS:
- 244-2269
- Nº ref. fabric.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
2715 Disponible para entrega en 4 día(s) laborable(s).
Precio unitario (Suministrado en múltiplos de 5)
0,992 €
(exc. IVA)
1,20 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad | Por Pack* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 0,992 € | 4,96 € |
| 50 - 120 | 0,814 € | 4,07 € |
| 125 - 245 | 0,766 € | 3,83 € |
| 250 - 495 | 0,714 € | 3,57 € |
| 500 + | 0,654 € | 3,27 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 244-2269
- Nº ref. fabric.:
- IPN60R360PFD7SATMA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R360PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. El IPN60R360PFD7S en un encapsulado SOT-223 dispone de RDS(on) de 360mOhm MHz que da como resultado bajas pérdidas de conmutación.
RDS(on) x Eoss de FOM muy baja
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2kV kV
Amplia gama de valores RDS(ON)
Excelente resistencia de conmutación
EMI bajo
Amplia cartera de paquetes
Diodo de cuerpo rápido robusto integrado
Protección ESD de hasta 2kV kV
Amplia gama de valores RDS(ON)
Excelente resistencia de conmutación
EMI bajo
Amplia cartera de paquetes
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 10 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 650 V |
| Tipo de Encapsulado | SOT-223 |
| Tipo de Montaje | Montaje superficial |
| Conteo de Pines | 3 |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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