MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines

Ver todo MOSFET
Descuento aplicable por cantidad

Subtotal (1 paquete de 5 unidades)*

3,60 €

(exc. IVA)

4,35 €

(inc.IVA)

Add to Basket
Selecciona o escribe la cantidad
Disponible
  • Disponible(s) 2700 unidad(es) más para enviar a partir del 23 de marzo de 2026
¿Necesitas comprar más? Introduce la nueva cantidad y clica en "Consultar fechas de entrega"
Unidad(es)
Por unidad
Por Paquete*
5 - 450,72 €3,60 €
50 - 1200,634 €3,17 €
125 - 2450,59 €2,95 €
250 - 4950,544 €2,72 €
500 +0,512 €2,56 €

*precio indicativo

Opciones de empaquetado:
Código RS:
244-2267
Nº ref. fabric.:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Fabricante:
Infineon
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo

Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Serie

IPN

Encapsulado

SOT-223

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R2K0PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia ultraalta y para diseños de máxima eficiencia.

Pérdidas extremadamente bajas debido a un nivel muy bajo de FOM RDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Pérdidas de conmutación bajas Eoss, excelente comportamiento térmico

Diodo de cuerpo rápido

Amplia gama de RDS(on) y variaciones de encapsulado

Diodo zener integrado

Enlaces relacionados