MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPN60R2K0PFD7SATMA1, VDSS 650 V, ID 3 A, SOT-223 de 3 pines

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Código RS:
244-2267
Nº ref. fabric.:
IPN60R2K0PFD7SATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

3A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

650V

Encapsulado

SOT-223

Serie

IPN

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

3mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

20 V

Disipación de potencia máxima Pd

81W

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

80nC

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

RoHS

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de superunión CoolMOS™ PFD7 de 600V V Infineon (IPN60R2K0PFD7S) complementa la oferta CoolMOS™ 7 para aplicaciones de consumo. Esta familia de productos está diseñada para una densidad de potencia ultraalta y para diseños de máxima eficiencia.

Pérdidas extremadamente bajas debido a un nivel muy bajo de FOM RDS(on)*QG y RDS(on)*Eoss

Pérdidas de conmutación bajas Eoss, excelente comportamiento térmico

Diodo de cuerpo rápido

Amplia gama de RDS(on) y variaciones de encapsulado

Diodo zener integrado

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