MOSFET y Diodo, Tipo N-Canal Infineon IRF7490TRPBF, VDSS 100 V, ID 5.4 A, Mejora, SO-8 de 8 pines
- Código RS:
- 220-7479
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-417
- Nº ref. fabric.:
- IRF7490TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 0,752 € | 11,28 € |
| 75 - 135 | 0,715 € | 10,73 € |
| 150 - 360 | 0,684 € | 10,26 € |
| 375 - 735 | 0,655 € | 9,83 € |
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*precio indicativo
- Código RS:
- 220-7479
- Número de artículo Distrelec:
- 304-39-417
- Nº ref. fabric.:
- IRF7490TRPBF
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Tipo de producto | MOSFET y Diodo | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 5.4A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 100V | |
| Encapsulado | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 39mΩ | |
| Modo de canal | Mejora | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 2.5W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 20 V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 37nC | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 150°C | |
| Longitud | 5mm | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Altura | 1.75mm | |
| Anchura | 4 mm | |
| Estándar de automoción | No | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Tipo de producto MOSFET y Diodo | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 5.4A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 100V | ||
Encapsulado SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 39mΩ | ||
Modo de canal Mejora | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Disipación de potencia máxima Pd 2.5W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 20 V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 37nC | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 150°C | ||
Longitud 5mm | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Altura 1.75mm | ||
Anchura 4 mm | ||
Estándar de automoción No | ||
Los MOSFET de potencia de canal N OptiMOS de Infineon se han desarrollado para aumentar la eficiencia, la densidad de potencia y la rentabilidad. Diseñados para aplicaciones de alto rendimiento y optimizados para alta frecuencia de conmutación, los productos OptiMOS convencen con la mejor figura de mérito del sector. La gama de MOSFET de potencia OptiMOS, ahora complementada con un potente IRFET, crea una combinación realmente potente. Benefíciese de una combinación perfecta de resistencia y excelente precio/rendimiento de MOSFET IRFET potentes y la mejor tecnología de su clase de MOSFET OptiMOS. Ambas familias de productos responden a los más altos estándares de calidad y a las demandas de rendimiento. La cartera conjunta, que abarca tensiones de MOSFET de 12V a 300V, puede satisfacer una amplia gama de necesidades de frecuencias de conmutación bajas a altas como SMPS, aplicaciones de alimentación por batería, control de motor y controladores, inversores e informática.
Estructura de celda plana para SOA amplio
Optimizado para ofrecer la mayor disponibilidad de los socios de distribución
Cualificación del producto según el estándar JEDEC
Silicio optimizado para aplicaciones de conmutación por debajo
Encapsulado de alimentación de montaje en superficie estándar del sector
Capaz de soldarse por ola
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