MOSFET Infineon IMW120R060M1HXKSA1, VDSS 1.200 V, ID 36 A, TO-247 de 3 pines
- Código RS:
- 222-4856
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R060M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Temporalmente fuera de stock. El producto se entregará cuando vuelva a estar disponible.
Precio Unidad
10,92 €
(exc. IVA)
13,21 €
(inc.IVA)
Unidades | Por unidad |
|---|---|
| 1 - 4 | 10,92 € |
| 5 - 9 | 10,37 € |
| 10 - 24 | 9,93 € |
| 25 - 49 | 9,50 € |
| 50 + | 8,84 € |
- Código RS:
- 222-4856
- Nº ref. fabric.:
- IMW120R060M1HXKSA1
- Fabricante:
- Infineon
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
El MOSFET Infineon CoolSiC™ de 1200 V, 60 mΩ SiC en encapsulado TO247-3 se ha construido sobre un proceso semiconductor Trench de vanguardia optimizado para combinar rendimiento y fiabilidad. En comparación con los interruptores basados en silicio (Si) tradicionales como IGBT y MOSFET, el MOSFET de SiC ofrece una serie de ventajas.
Las mejores pérdidas de conducción y conmutación de su clase
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Tensión de umbral alto de referencia, Vth > 4 V.
Tensión de puerta de desconexión 0V para accionamiento de puerta sencillo
Amplio rango de tensión de fuente de puerta
Diodo de cuerpo robusto y de baja pérdida con valor nominal para conmutación dura
Pérdidas de conmutación de desconexión independientes de la temperatura
Especificaciones
Atributo | Valor |
|---|---|
| Tipo de Canal | N |
| Corriente Máxima Continua de Drenaje | 36 A |
| Tensión Máxima Drenador-Fuente | 1.200 V |
| Serie | IMW1 |
| Tipo de Encapsulado | TO-247 |
| Tipo de Montaje | Montaje en orificio pasante |
| Conteo de Pines | 3 |
| Resistencia Máxima Drenador-Fuente | 60 m.Ω |
| Modo de Canal | Mejora |
| Tensión de umbral de puerta máxima | 4.5V |
| Material del transistor | Si |
| Número de Elementos por Chip | 1 |
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