MOSFET, Tipo N-Canal Infineon IPB60R099C7ATMA1, VDSS 600 V, ID 22 A, Mejora, TO-263 de 3 pines

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Opciones de empaquetado:
Código RS:
222-4893
Nº ref. fabric.:
IPB60R099C7ATMA1
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de canal

Tipo N

Tipo de producto

MOSFET

Corriente continua máxima de drenaje ld

22A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

600V

Serie

IPB60R

Encapsulado

TO-263

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

3

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

99mΩ

Modo de canal

Mejora

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

No

La serie MOSFET Infineon CoolMOS™ C7 Superjunction (SJ) 600V CoolMOS™ ofrece una reducción de ∼50 % en pérdidas de desconexión (E OSS ) en comparación con CoolMOS™ CP, ofreciendo un excelente nivel de rendimiento en PFC, TTF y otras topologías de conmutación dura. El IPL60R185C7 es también el complemento perfecto para diseños de cargador de alta densidad de potencia.

Parámetros de pérdida de conmutación reducida como Q G, C oss, E oss

Mejor factor de mérito de su clase Q G*R DS(on)

Frecuencia de conmutación aumentada

Mejor R (on)*A del mundo

Diodo de cuerpo resistente

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