MOSFET, Tipo N-Canal Infineon, VDSS 60 V, ID 345 A, DirectFET de 8 pines

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Código RS:
223-8454
Nº ref. fabric.:
AUIRF7749L2TR
Fabricante:
Infineon
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Marca

Infineon

Tipo de producto

MOSFET

Tipo de canal

Tipo N

Corriente continua máxima de drenaje ld

345A

Tensión máxima Drenador-Fuente Vds

60V

Encapsulado

DirectFET

Serie

HEXFET

Tipo de montaje

Superficie

Número de pines

8

Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds

1.5mΩ

Tensión directa Vf

1.3V

Temperatura de Funcionamiento Mínima

-55°C

Tensión máxima de la fuente de la puerta

60 V

Carga típica de puerta Qg @ Vgs

183nC

Disipación de potencia máxima Pd

341W

Temperatura de funcionamiento máxima

175°C

Certificaciones y estándares

No

Estándar de automoción

AEC-Q101

El MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo Infineon está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son de valor. La plataforma de encapsulado DirectFET de Advanced junto con la última tecnología de silicio permite a este MOSFET ofrecer ahorros sustanciales en el nivel del sistema y mejora del rendimiento específicamente en aplicaciones de accionamiento de motor, dc-dc y otras aplicaciones de carga pesada.

Tecnología de procesos Advanced

Tamaño excepcionalmente pequeño y perfil bajo

Alta densidad de potencia

Parámetros parásitos bajos

Refrigeración de doble cara

Temperatura de funcionamiento de 175 °C.

Sin cables

En conformidad con RoHS

Libre de halógenos

Homologado para automoción

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