MOSFET, Tipo N-Canal Infineon AUIRF7749L2TR, VDSS 60 V, ID 345 A, DirectFET de 8 pines
- Código RS:
- 223-8455
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7749L2TR
- Fabricante:
- Infineon
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Unidad(es) | Por unidad | Por Paquete* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | 6,60 € | 13,20 € |
| 10 - 18 | 5,94 € | 11,88 € |
| 20 - 48 | 5,545 € | 11,09 € |
| 50 - 98 | 5,215 € | 10,43 € |
| 100 + | 4,82 € | 9,64 € |
*precio indicativo
- Código RS:
- 223-8455
- Nº ref. fabric.:
- AUIRF7749L2TR
- Fabricante:
- Infineon
Especificaciones
Documentación Técnica
Legislación y Conformidad
Datos del Producto
Encuentra productos similares seleccionando uno o varios atributos.
Seleccionar todo | Atributo | Valor |
|---|---|---|
| Marca | Infineon | |
| Tipo de producto | MOSFET | |
| Tipo de canal | Tipo N | |
| Corriente continua máxima de drenaje ld | 345A | |
| Tensión máxima Drenador-Fuente Vds | 60V | |
| Serie | HEXFET | |
| Encapsulado | DirectFET | |
| Tipo de montaje | Superficie | |
| Número de pines | 8 | |
| Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds | 1.5mΩ | |
| Tensión directa Vf | 1.3V | |
| Temperatura de Funcionamiento Mínima | -55°C | |
| Carga típica de puerta Qg @ Vgs | 183nC | |
| Disipación de potencia máxima Pd | 341W | |
| Tensión máxima de la fuente de la puerta | 60 V | |
| Temperatura de funcionamiento máxima | 175°C | |
| Certificaciones y estándares | No | |
| Estándar de automoción | AEC-Q101 | |
| Seleccionar todo | ||
|---|---|---|
Marca Infineon | ||
Tipo de producto MOSFET | ||
Tipo de canal Tipo N | ||
Corriente continua máxima de drenaje ld 345A | ||
Tensión máxima Drenador-Fuente Vds 60V | ||
Serie HEXFET | ||
Encapsulado DirectFET | ||
Tipo de montaje Superficie | ||
Número de pines 8 | ||
Resistencia máxima Drenador-Fuente Rds 1.5mΩ | ||
Tensión directa Vf 1.3V | ||
Temperatura de Funcionamiento Mínima -55°C | ||
Carga típica de puerta Qg @ Vgs 183nC | ||
Disipación de potencia máxima Pd 341W | ||
Tensión máxima de la fuente de la puerta 60 V | ||
Temperatura de funcionamiento máxima 175°C | ||
Certificaciones y estándares No | ||
Estándar de automoción AEC-Q101 | ||
El MOSFET de potencia HEXFET de canal N sencillo Infineon está diseñado para aplicaciones donde la eficiencia y la densidad de potencia son de valor. La plataforma de encapsulado DirectFET de Advanced junto con la última tecnología de silicio permite a este MOSFET ofrecer ahorros sustanciales en el nivel del sistema y mejora del rendimiento específicamente en aplicaciones de accionamiento de motor, dc-dc y otras aplicaciones de carga pesada.
Tecnología de procesos Advanced
Tamaño excepcionalmente pequeño y perfil bajo
Alta densidad de potencia
Parámetros parásitos bajos
Refrigeración de doble cara
Temperatura de funcionamiento de 175 °C.
Sin cables
En conformidad con RoHS
Libre de halógenos
Homologado para automoción
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